收藏本站
SUD50N04-8m8P
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
2.0
I D = 20 A
100
T J = 25 °C
1.7
V GS = 10 V
10
1.4
1.1
0. 8
0.5
V GS = 4.5 V
1
0.1
0.01
0.001
T J = 150 °C
T J = - 55 °C
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0.030
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
0.6
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 7.2 A
0.025
0.2
0.020
- 0.2
0.015
I D = 1 mA
T J = 125 °C
- 0.6
0.010
I D = 250 μ A
0.005
T J = 25 °C
- 1.0
0
2
4
6
8
10
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
500
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
Limited by R DS(on) *
400
300
200
T A = 25 °C
100
10
1
10 μs
100 μs
1 ms
10 ms,
100 ms, DC
100
0
0.1
0.01
T C = 25 °C
Single P u lse
BVDSS
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.1
1 10 100
www.vishay.com
4
Time (s)
Single Pulse, Junction-to-Ambient
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Case
Document Number: 68647
S10-0109-Rev. B, 18-Jan-10
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SUD50N06-07L-E3 MOSFET N-CH D-S 60V TO252
SUD50N06-08H-E3 MOSFET N-CH D-S 60V TO252
SUD50N06-09L-E3 MOSFET N-CH D-S 60V TO252
SUD50N10-18P-GE3 MOSFET N-CH 100V DPAK
SUD50N10-34P-T4-E3 MOSFET N-CH D-S 100V TO252
SUD50NP04-77P-T4E3 MOSFET N/P-CH 40V TO252-4
SUD50P04-13L-E3 MOSFET P-CH D-S 40V TO252
SUD50P04-23-E3 MOSFET P-CH D-S 40V TO252
相关代理商/技术参数
SUD50N04-8M8P-GE3 功能描述:MOSFET 40V 50A 48.1W 8.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUD50N06 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V (D-S) 175 C MOSFET
SUD50N06-07L 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V (D-S), 175 C MOSFET
SUD50N06-07L_06 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V (D-S) 175Celsius MOSFET
SUD50N06-07L-E3 功能描述:MOSFET 60V 96A 136W 7.4mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SUD50N06-07L-GE3 功能描述:MOSFET N-CH 60V DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:TrenchFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SUD50N06-07L-RC 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:R-C Thermal Model Parameters
SUD50N06-08H 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V (D-S) 175c MOSFET